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物理实验设备

更新时间:2022-04-25

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简要描述:
物理实验设备的产品简述
本实验采用微波反射光电导衰减法先测量硅片的复合寿命,再得到少子寿命。该方法是国家标准推荐的方法之一,测试过程可实现对半导体材料的非接触无损检测。该方法对样片的污染和损失最小而显示出的优越性,可以实现在线实时测量,是今后发展的趋势。
品牌其他品牌产地类别国产
应用领域能源,电子,交通,航天,电气

      物理实验设备的产品特点

  1.半导体能带理论、载流子运动规律的实验展示:示波器上观察动态显示的光电导变化信号,有助于直观理解过剩载流子的产生、复合过程。

  2.工业标准检测仪器测试原理和方法的教学呈现:仪器参照国家标准设计制造,内部结构可视、直观,重点突出教学内容。

  3.是太阳能电池原理实验的有益补充。

  4.激光光源和微波均在样品台下方,故在放置样品时,不会对处于样品台上的样品形成视觉阻挡或干扰。

  5.可对光强或光子面密度进行定量调节,进而可定量地研究光强对测量复合寿命的影响,及验证S-R-H模型的正确。

  实验内容

  1.研究表面钝化对复合寿命测量的影响

  2.研究注入水平对复合寿命测量的影响

  3.验证S-R-H模型的正确性并推算少子寿命

  4.计算非平衡载流子的扩散系数和扩散长度

  5.测量复合寿命的分布(选做)

  知识点:非平衡载流子的产生和复合、复合寿命、少子寿命、表面复合、爱因斯坦方程、扩散长度。

  物理实验设备的技术指标

  本实验装置主要是由数字式硅片少子寿命实验仪、钝化剂、P型硅片、N型硅片等组成。

  1.工作条件:温度0℃~40℃;相对湿度≤90%RH;大气压力86kPa~106kPa;电源电压~220(1±10%)V,电源频率~50(1±5%)Hz。

  2.复合寿命测量范围:0.5us~30ms。

  3.电阻率下限:≤1.0Ω∙cm。

  4.测量重复性:3%。

  5.数字式硅片少子寿命实验仪

  (1)微波中心频率:10.5GHz。

  (2)脉冲激光:中心波长905nm,安装于样品台下方,光强可调节。

  (3)激光电源:脉宽200ns,频率30Hz,下降沿≤50ns。

  (4)样品台:含二维刻度尺,范围均为−80mm~+80mm,分度值1mm,带红外滤光片,下方安装激光源和微波源。

  (5)光子面密度:4位数字显示,旋钮定量调节,单位:1013光子数/cm2,可定量地研究光强对测量复合寿命的影响和验证S-R-H模型。

  (6)电源:~220V/50Hz。

  6.钝化剂:100mL、浓度0.08mol/L碘乙醇钝化剂。

  7.硅片盒:用于放置P型、N型硅片,6英寸透明圆盒,尺寸Φ180×43mm。

  8.专用实验软件:

  (1)具有用户自定义修改配置文件的功能,以匹配不同的示波器。

  (2)具有数据导入,数据或曲线导出功能。

  (3)具有实验数据自动计算功能,方便使用者快速得到实验结果(如注入水平、复合寿命等)。

  (4)具有指数曲线拟合、线性拟合功能,并能自动计算出拟合参数。

  (5)在衰减曲线图形界面,可根据需要显示或隐藏原始数据或拟合数据,以及重要的参数点。

  (6)具有错误提示功能,并给出可能的错误原因。

  (7)实验辅助功能,软件集成实验说明书和软件使用手册,方便使用者在PC端快速查阅。

  (8)软件可生成实验报告,结合学生信息录入功能,方便进行教学管理。

    产品组成

序号

名称

编号

数量

备注

1

数字式硅片少子寿命实验仪


1

含电源线1件

2

钝化剂


1件

含滴管1件

3

收纳盒


1件


4

N型硅片


1片


5

P型硅片


1片


6

同轴线


2件

两端BNC头,线长1000mm

7

硅片盖


1件


8

光盘


1件


      用户自备设备

  1.40MHz数字存储示波器(通道数≥2)1台/套

  2.电脑至少每个实验室1件(要求:P4双核或以上档次CPU、内存2G或以上、MicrosoftExcel2003或以上版本、WindowsXP/SP3、Windows7、8、10操作系统)

  选配件

  无





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